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電力半導(dǎo)體的發(fā)展前景
發(fā)表時(shí)間:2020-05-28 11:13:49

電力半導(dǎo)體器件屬于功率半導(dǎo)體類別,如高壓二極管、雙向可控硅、二極管整流橋、MFC、IGBT等,多年來市場(chǎng)需求、產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)健。雖然會(huì)受到行業(yè)周期、中美貿(mào)易摩擦、疫情的影響,但是市場(chǎng)總體波動(dòng)不大,發(fā)展前景廣闊。

目前,我國已成為全球最重要的功率半導(dǎo)體器件制造基地和消費(fèi)市場(chǎng),在全球功率器件市場(chǎng)占有顯著地位。從需求端的整機(jī)系統(tǒng)發(fā)展來看,來自節(jié)能環(huán)保、新能源、特高壓等應(yīng)用的需求,帶動(dòng)了我國功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的需求增長和產(chǎn)品升級(jí)。

KP普通晶閘管(平板式)產(chǎn)品圖

電力晶體管的發(fā)展前景

電力晶體管作為國民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)行業(yè)和節(jié)能減排的關(guān)鍵技術(shù),與基于功率半導(dǎo)體為的電力電子產(chǎn)業(yè)一樣,具有廣闊的發(fā)展前景。

首先,隨著社會(huì)和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,能源投資將保持長期增長態(tài)勢(shì),工業(yè)發(fā)展對(duì)電力電子裝置的需求將持續(xù)增加,必然帶動(dòng)電力晶體管類大功率半導(dǎo)體器件,特別是高壓二極管、MOSFET、IGBT等制造業(yè)的發(fā)展。

其次,國家大力推動(dòng)節(jié)能減排技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用,電力電子技術(shù)是研究電能高效變換和控制的技術(shù),電力晶體管和大功率半導(dǎo)體器件(MOSFET、IGBT)能夠?qū)﹄娔軅鬏斵D(zhuǎn)換實(shí)施最佳控制,實(shí)現(xiàn)大幅節(jié)約電能、優(yōu)化電能質(zhì)量的目標(biāo),從而促進(jìn)新型電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展。

第三,電力電子技術(shù)是現(xiàn)代軍事和武器裝備的核心技術(shù)之一,擁有高端先進(jìn)的電子技術(shù)成為強(qiáng)大國防力量的可靠保障,隨著軍工領(lǐng)域的投資增長和技術(shù)升級(jí),以及軍民融合的加快推進(jìn),必將帶動(dòng)電力電子技術(shù)的廣泛應(yīng)用和快速發(fā)展。

第四,產(chǎn)業(yè)政策支持。電力電子技術(shù)是國民經(jīng)濟(jì)的重要基礎(chǔ)學(xué)科之一,國家通過優(yōu)惠政策和產(chǎn)業(yè)基金等多種方式,持續(xù)加大對(duì)電力晶體管等高端新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)和先進(jìn)電力電子技術(shù)應(yīng)用的扶持力度,國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)大多與電力電子直接相關(guān),為電力電子產(chǎn)業(yè)和技術(shù)提供了廣闊的發(fā)展空間。

第五,國際經(jīng)濟(jì)融合。隨著全球經(jīng)濟(jì)融合發(fā)展,為中國企業(yè)吸收先進(jìn)技術(shù)、推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新提供了良好的機(jī)遇,帶動(dòng)了我國大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,中美貿(mào)易摩擦將加快我國電力晶體管等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化進(jìn)程。

目前,國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件和IGBT模塊等新型器件有比較多的廠家。雖然目前國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)逐步掌握了新型功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、產(chǎn)業(yè)化制造技術(shù),并形成了批量生產(chǎn)能力,但高壓二極管、IGBT等高壓及大功率器件與國際領(lǐng)先水平還存在差距。

面對(duì)未來,我們面臨的機(jī)遇遠(yuǎn)大于挑戰(zhàn)。中美貿(mào)易摩擦有助于我國產(chǎn)業(yè)自主化,提升普通電子機(jī)械和電器設(shè)備的出口,給國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)帶來新一輪的發(fā)展契機(jī)。

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